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【前言】硒化锑和硫化锑等无机V2-VI3族化合物半导体材料展现了巨大的光伏应用潜力，千亿其中，千亿硒化锑（Sb2Se3）具有1）单一物相结构，2）合适的光学带隙（1.1-1.3eV），3）高吸光系数，4）低毒性，5）高元素丰度等优良特性，被证明是一种优异的吸光层材料。【图文简介】图1Sb2Se3纳米棒阵列的结构表征：美元a 表面形貌图，美元b截面形貌图，c XRD图，d截面TEM图，e表面HRTEM图，f SAED图图2 Sb2Se3由薄膜向纳米棒阵列的演变：不同沉积时间的Sb2Se3表面形貌图，a60s,b120s,c160s,d180s 及截面形貌图e60s,f120s,g160s,h180s图3 CdS/Sb2Se3异质结界面特性：a 表面形貌图，b截面形貌图，c d截面TEM图，eHAADF-STEM及EDS图图4 Sb2Se3纳米棒阵列太阳电池的结构及电学特性：a纳米棒阵列及器件的原理图，b截面形貌图，c 表面形貌图，d最优器件J-V曲线，eEQE光谱，f 100个太阳电池的效率分布直方图，g 沉积及没有沉积氧化钛的器件的VOC衰减曲线该工作得到了国家自然科学基金（61804040）、人社部留学回国人员科技活动择优资助项目（CG2015003004）、河北省自然科学基金（E2016201028）以及河北大学高层次人才引进启动经费（801260201001）等项目的支持。

现金下相关研究成果发表在《自然-通讯》（NatureCommunications）上。研究表明，巴并购Sb2Se3晶体由带状的(Sb4Se6)n构成，巴并购(Sb4Se6)n内部由Sb-Se共价键结合，带间通过较弱的范德瓦耳斯力相结合，在(Sb4Se6)n内部，载流子具有很高的迁移率。【成果简介】该研究中，菲特研究人员应用近空间升华技术（CloseSpacedSublimation），菲特在镀钼（Mo）的玻璃衬底上制备出具有一维纳米棒阵列结构的Sb2Se3吸收层材料，Sb2Se3纳米棒具有[001]方向的择优取向。

制备完成的太阳电池获得了较高的填充因子（70.3%）和短路电流密度（32.58mA/cm2），个苹果太以及9.2%的全面积（0.26 cm2）光电转换效率。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，手持年投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

本研究用原子层沉积技术，千亿在吸收层与缓冲层间引入一层超薄的TiO2，千亿有效的抑制了Sb2Se3在硫化镉缓冲层制备过程中的溶解速率，同时，有效的减少了异质结界面处的漏电通道。

河北大学物理科学与技术学院/暨南大学新能源技术研究院提出并制备了一种全新的纳米棒阵列结构Sb2Se3吸收层材料，美元将Sb2Se3太阳电池的光电转换效率提升至9.2%，美元为该类型电池已报导的最高转换效率。所以狗狗会通过后踢腿的方式让自己的气味能够传播得更广，现金下从而让其它生物能够知道这是自己的领地。

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